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IRF644PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
3380 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 14A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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IRF644PBF
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12911796
DiGi Electronics Numéro de pièce
IRF644PBF-DGFabricant
Vishay Siliconix
IRF644PBF
Description
MOSFET N-CH 250V 14A TO220ABInventaire
3380 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 14A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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IRF644PBF Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF644
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IRF644PBF Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IRF644PBF-DG
Fiches techniques
IRF644
Packaging Information
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRF644PBF
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET IRF644PBF ?
Le IRF644PBF est un MOSFET à canal N avec une tension maximale de 250 V, un courant de drain en continu de 14 A, et une dissipation thermique de 125 W. Il dispose d’un boîtier TO-220AB adapté aux applications de commutation haute tension.
Le IRF644PBF est-il adapté à la commutation de puissance haute tension ?
Oui, avec une tension drain-source de 250 V, le IRF644PBF est idéal pour la commutation de puissance haute tension et les opérations d’amplification dans divers circuits électroniques.
Quelles sont les principales caractéristiques électriques du MOSFET IRF644PBF ?
Ce MOSFET possède une résistance Rds(on) maximale de 280 milliohms à 8,4 A et 10 V, une tension de seuil de gate d’environ 4 V, et une charge de gate de 68 nC, ce qui le rend efficace pour les applications de commutation.
Le IRF644PBF est-il compatible avec les circuits imprimés standard et autres composants ?
Oui, le IRF644PBF est doté d’un boîtier TO-220AB avec montage par passage de trou, compatible avec la majorité des conceptions de circuits électroniques de puissance et des montages sur PCB.
Quels sont les avantages de choisir le MOSFET IRF644PBF pour mon projet ?
Ce MOSFET offre une haute capacité en tension et en courant, une performance fiable, la conformité RoHS3, et un boîtier robuste, le rendant adapté à diverses applications industrielles et électroniques grand public.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
IRF644PBF CAD Models
Vishay Siliconix IRF644PBF PCB symbols & footprints
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