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IXTH8P50
IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO247
1055 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
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IXTH8P50
Aperçu du produit
12911809
DiGi Electronics Numéro de pièce
IXTH8P50-DGFabricant
IXYS
IXTH8P50
Description
MOSFET P-CH 500V 8A TO247Inventaire
1055 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
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IXTH8P50 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTH8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IXTH8P50 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IXTH8P50-DG
Fiches techniques
IXT(H,T)8P50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXTH8P50-NDR
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Assurance qualité (QC)
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IXTH8P50 CAD Models
IXYS IXTH8P50 PCB symbols & footprints
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