Prévention de la contrefaçon et des défauts
Contrôle visuel et emballage
Vérification de la performance électrique
Email de service
[email protected]
>
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
16889 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Demander un devis
(Expédie demain)
*Quantité
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (304 Évaluations)
SI4888DY-T1-E3
Aperçu du produit
12911815
DiGi Electronics Numéro de pièce
SI4888DY-T1-E3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-E3
Description
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOInventaire
16889 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
Achat et demande
Garantie & Retours
Comment passer la commande
Expédition et livraison
Assurance qualité
Garantie de Qualité 365 Jours - Chaque pièce entièrement garanties.
Remboursement ou échange de 90 jours - Pièces défectueuses ? Pas de problème.
Stock limité, Commandez maintenant - Obtenez des pièces fiables sans souci.
Expédition mondiale & Emballage sécurisé
Livraison mondiale en 3-5 jours ouvrés
Emballage antistatique ESD à 100%
Suivi en Temps Réel pour Chaque Commande
Paiement Sécurisé & Flexible
Carte de Crédit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Virement Bancaire (T/T) et plus
Tous les paiements sont cryptés pour la sécurité
SI4888DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4888
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SI4888DY-T1-E3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SI4888DY-T1-E3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4888DYT1E3
SI4888DY-T1-E3DKR
SI4888DY-T1-E3TR
SI4888DY-T1-E3-DG
SI4888DY-T1-E3CT
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
빠르고 정확한 배송, 탁월한 포장 기술에 감사드립니다.
Dec 02, 2025
Je recommande chaleureusement DiGi Electronics pour ses prix attractifs et leur support client toujours disponible.
Dec 02, 2025
スタッフの方々はとてもプロフェッショナルで、こちらの質問にも親切に対応してくださいました。
Dec 02, 2025
The craftsmanship is evident, and it gives me confidence in the longevity of their products.
Dec 02, 2025
The resilient structure of their hardware means I don’t have to worry about accidental impacts or exposure to elements.
Dec 02, 2025
The combination of affordable pricing and robust support keeps me loyal to DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
Reliable quality and honest pricing are what define my experience with DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
I save a lot due to their competitive prices, and the shipments always arrive on scheduled date.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics stands out with their reliable delivery and supportive customer care.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-channel Vishay SI4888DY-T1-E3 ?
Le MOSFET N-channel Vishay SI4888DY-T1-E3 possède une tension maximale de drain-source de 30 V, un courant de drain continu de 11 A, et une faible Rds On de 7 mΩ à 16 A, ce qui le rend adapté pour des applications de commutation à haute efficacité.
Ce MOSFET Vishay SI4888DY-T1-E3 est-il compatible avec les circuits imprimés en montage en surface ?
Oui, ce MOSFET est conçu avec un boîtier en surface SOIC-8, idéal pour des configurations compactes sur PCB et une intégration facile dans les appareils électroniques modernes.
Pour quelles applications ce MOSFET de la série TrenchFET® de Vishay est-il adapté ?
Ce MOSFET convient parfaitement à la gestion de l'énergie, à la commutation de charges, à l’éclairage à LED et au contrôle de moteurs, notamment lorsqu'une haute efficacité et une commutation rapide sont nécessaires.
Le Vishay SI4888DY-T1-E3 respecte-t-il les normes environnementales et réglementaires ?
Oui, ce MOSFET est conforme à la norme RoHS3, non soumis à REACH, et possède un niveau de sensibilité à l’humidité de 1, garantissant qu’il respecte les réglementations en matière de sécurité et d’environnement.
Comment puis-je acheter le Vishay SI4888DY-T1-E3 et quel est son stock disponible ?
Le Vishay SI4888DY-T1-E3 est disponible en stock avec 7 776 unités. Vous pouvez l’acheter via des distributeurs agréés ou des fournisseurs de composants électroniques pour une livraison fiable et un support assuré.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SI4888DY-T1-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SI4888DY-T1-E3 PCB symbols & footprints
productDetail
