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SUP60061EL-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
789 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SUP60061EL-GE3
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12958844
DiGi Electronics Numéro de pièce
SUP60061EL-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SUP60061EL-GE3
Description
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2Inventaire
789 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SUP60061EL-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Bulk
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
218 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9600 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SUP60061EL-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SUP60061EL-GE3-DG
Fiches techniques
SUP60061EL
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
742-SUP60061EL-GE3
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SUP60061EL-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUP60061EL-GE3 PCB symbols & footprints
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