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SIR880BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
2755 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR880BDP-T1-RE3
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12958851
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIR880BDP-T1-RE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIR880BDP-T1-RE3
Description
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWEInventaire
2755 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR880BDP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2930 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIR880BDP-T1-RE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIR880BDP-T1-RE3-DG
Fiches techniques
SIR880BDP
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIR880BDP-T1-RE3CT
742-SIR880BDP-T1-RE3DKR
742-SIR880BDP-T1-RE3TR
Pièces alternatives
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TYPE DE SUBSTITUT
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SIR880BDP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR880BDP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
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