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IRFD9110PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
5652 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
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IRFD9110PBF Vishay Siliconix
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IRFD9110PBF

Aperçu du produit

12959348

DiGi Electronics Numéro de pièce

IRFD9110PBF-DG
IRFD9110PBF

Description

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Inventaire

5652 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 1 1.0253 1.0253
  • 10 0.8431 8.4310
  • 30 0.7521 22.5630
  • 100 0.6038 60.3800
  • 500 0.5494 274.7000
  • 1000 0.5215 521.5000
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IRFD9110PBF Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Bulk

Série -

État du produit Active

FET Type P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 700mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 420mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 200 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 1.3W (Ta)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur 4-HVMDIP

Emballage / Caisse 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Numéro de produit de base IRFD9110

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IRFD9110PBF-DG

Fiches techniques

IRFD9110

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
*IRFD9110PBF

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
IRFD9110
Vishay Siliconix
3553
IRFD9110-DG
0.5215
Direct

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微***式
Dec 02, 2025
5.0
每次購買都能享受到優惠價格,真的很划算。
Dream***rizon
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET IRFD9110PBF ?

Le IRFD9110PBF est un MOSFET à canal P avec une tension de fonctionnement de 100 V, un courant de drain continu de 700 mA et une dissipation de puissance de 1,3 W. Il présente une faible résistance Rds On et convient aux applications haute tension.

Le MOSFET IRFD9110PBF est-il compatible avec les appareils électroniques courants ?

Oui, ce MOSFET est compatible avec divers circuits électroniques nécessitant des MOSFETs à canal P, notamment dans la commutation de puissance et la protection des circuits, grâce à ses spécifications standard de l'industrie.

Quelles sont les applications typiques du MOSFET IRFD9110PBF ?

Ce MOSFET à canal P est idéal pour la gestion de l’énergie, la commutation de charges et la régulation de tension, là où une haute tension et une commutation fiable sont nécessaires.

Comment installer et connecter le MOSFET IRFD9110PBF ?

Le IRFD9110PBF possède un boîtier DIP 4 broches traversantes, ce qui facilite le montage sur des cartes PCB standard. Il est important de connecter correctement la drain, la source et la grille pour garantir des performances optimales.

Quelle est la garantie et le support après-vente pour ce MOSFET ?

En tant que produit original et en stock, le IRFD9110PBF bénéficie du support du fabricant. Pour les détails de la garantie et le service après-vente, veuillez consulter le vendeur ou le fabricant.

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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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