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IRFI640GPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
15278 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
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IRFI640GPBF
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DiGi Electronics Numéro de pièce
IRFI640GPBF-DGFabricant
Vishay Siliconix
IRFI640GPBF
Description
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3Inventaire
15278 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
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IRFI640GPBF Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
IRFI640
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IRFI640GPBF Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IRFI640GPBF-DG
Fiches techniques
IRFI640G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRFI640GPBF
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la tension et le courant nominal de la MOSFET IRFI640GPBF ?
L'IRFI640GPBF affiche une tension drain-source (V\_ds) de 200V et peut supporter un courant de drain continu de 9,8A à 25°C, ce qui le rend adapté aux applications de commutation haute tension.
La MOSFET IRFI640GPBF est-elle compatible avec un montage standard en TO-220-3 ?
Oui, cette MOSFET dispose d’un boîtier TO-220-3 avec montage par trous traversants, garantissant une installation facile et une compatibilité avec les alimentations et circuits courants.
Quelles sont les principales caractéristiques et avantages de la MOSFET N-channel IRFI640GPBF ?
Elle offre une faible résistance R\_ds(on) (180 mΩ à 5,9A, 10V), une capacité de dissipation de puissance élevée (jusqu’à 40W) et une large plage de température de fonctionnement de -55°C à 150°C, assurant performance efficace et fiabilité dans diverses applications.
Puis-je utiliser la MOSFET IRFI640GPBF dans des environnements à haute température ?
Oui, l'IRFI640GPBF est conçue pour fonctionner jusqu’à 150°C (TJ), ce qui la rend adaptée à des environnements à haute température si des mesures adéquates de dissipation thermique sont prises.
La MOSFET IRFI640GPBF est-elle conforme aux normes RoHS et autres normes environnementales ?
Oui, cette MOSFET est conforme à la norme RoHS3 et respecte différentes normes internationales, garantissant une fabrication et une utilisation respectueuses de l’environnement.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
IRFI640GPBF CAD Models
Vishay Siliconix IRFI640GPBF PCB symbols & footprints
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