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STI33N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
2210 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
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STI33N60M2 STMicroelectronics
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STI33N60M2

Aperçu du produit

12879553

DiGi Electronics Numéro de pièce

STI33N60M2-DG
STI33N60M2

Description

MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK

Inventaire

2210 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Quantité
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STI33N60M2 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant STMicroelectronics

Emballage Tube

Série MDmesh™ II Plus

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 600 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 26A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 125mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45.5 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±25V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1781 pF @ 100 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 190W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur TO-262 (I2PAK)

Emballage / Caisse TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numéro de produit de base STI33

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

STI33N60M2-DG

Fiches techniques

STx33N60M2

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
497-15016-5
-497-15016-5

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
IPI65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
964
IPI65R099C6XKSA1-DG
1.7345
MFR Recommended
IPI60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
1076
IPI60R199CPXKSA1-DG
1.7345
MFR Recommended
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
1104
IPI65R110CFDXKSA1-DG
1.7345
MFR Recommended
AOW29S50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1482
AOW29S50-DG
1.7345
MFR Recommended
IPI65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
732
IPI65R150CFDXKSA1-DG
1.7345
MFR Recommended

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Refl***rgent
Dec 02, 2025
5.0
J’ai toujours été satisfait de leur attention aux détails et à la livraison ponctuelle.
Meer***rise
Dec 02, 2025
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Sehr professionell und effizient. Ich empfehle DiGi Electronics gerne weiter.
No***ath
Dec 02, 2025
5.0
DiGi Electronics always meets my expectations for product quality.
Brigh***eamer
Dec 02, 2025
5.0
Customer service was attentive and proactive in ensuring my satisfaction.
Horiz***opper
Dec 02, 2025
5.0
The packaging is always neat, professional, and effective at safeguarding contents.
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET STI33N60M2 ?

Le STI33N60M2 est un MOSFET à canal N haute tension, avec une tension de claquage de 600 V, un courant de drain continu de 26 A, et une résistance Rds(on) faible de 125 mΩ. Il est conçu pour un commutateur de puissance efficace, avec une dissipation thermique pouvant atteindre 190 W, garantissant des performances fiables en environnements à haute température.

Le MOSFET STI33N60M2 est-il adapté pour une utilisation dans des circuits d’alimentation haute tension ?

Oui, le STI33N60M2 est idéal pour des applications haute tension telles que les alimentations, inverters et commandes de moteurs, grâce à sa tension de drain-source de 600 V et ses spécifications thermiques robustes.

Quel type de montage le MOSFET STI33N60M2 supporte-t-il ?

Ce MOSFET utilise un montage à travers-hole avec un boîtier TO-262 (I2PAK), ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une soudure fiable et une dissipation thermique efficace dans des circuits plus complexes.

Le STI33N60M2 est-il compatible avec des tensions de commande de grille standard ?

Oui, le dispositif peut être piloté avec une tension de grille-source maximale de ±25 V et nécessite au minimum 10 V pour une mise en conduction complète, le rendant compatible avec les circuits de commande de grille couramment utilisés en électronique de puissance.

Quels sont les avantages de choisir le MOSFET STI33N60M2 par rapport à d’autres types ?

Le STI33N60M2 offre d’excellentes performances avec ses hautes tensions et courants de sortie, une résistance Rds(on) faible, et une capacité thermique remarquable, permettant une commutation efficace, une réduction des pertes d’énergie, et une fiabilité accrue dans les applications exigeantes.

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DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.

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