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STP6NB90
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
1032 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 900 V 5.8A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220
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STP6NB90
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12879556
DiGi Electronics Numéro de pièce
STP6NB90-DGFabricant
STMicroelectronics
STP6NB90
Description
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220ABInventaire
1032 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 900 V 5.8A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220
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STP6NB90 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
-
Série
PowerMESH™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
135W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP6N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger STP6NB90 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
STP6NB90-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-2786-5
497-2786-5-NDR
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STP6NB90 CAD Models
STMicroelectronics STP6NB90 PCB symbols & footprints
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