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SUD45P03-09-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 45A TO252
15481 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 45A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD45P03-09-GE3
Aperçu du produit
12786292
DiGi Electronics Numéro de pièce
SUD45P03-09-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SUD45P03-09-GE3
Description
MOSFET P-CH 30V 45A TO252Inventaire
15481 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 45A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD45P03-09-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2700 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD45
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SUD45P03-09-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SUD45P03-09-GE3-DG
Fiches techniques
SUD45P03-09
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SUD45P0309GE3
SUD45P03-09-GE3DKR
SUD45P03-09-GE3CT
SUD45P03-09-GE3TR
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET P-Channel Vishay SUD45P03-09-GE3 ?
Le Vishay SUD45P03-09-GE3 est un MOSFET P-Channel avec une tension de drain de 30 V et un courant de drain continu de 45 A. Il présente une résistance Rds On faible, une dissipation thermique élevée et est conçu pour un montage en surface dans un boîtier TO-252, idéal pour les applications de commutation à courant élevé.
Puis-je utiliser le MOSFET Vishay SUD45P03-09-GE3 dans des environnements à haute température ?
Oui, ce MOSFET fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -55°C à 150°C, ce qui le rend adapté à diverses applications nécessitant une résistance à la haute température tout en conservant des performances stables.
Le Vishay SUD45P03-09-GE3 est-il compatible avec des tensions de commande de grille de 4,5 V et 10 V ?
Oui, ce MOSFET est conçu pour fonctionner efficacement avec des tensions de grille de 4,5 V et 10 V, assurant une faible Rds On et des performances de commutation optimales dans différentes configurations de circuit.
Quels sont les avantages d'utiliser le boîtier TO-252 pour ce MOSFET ?
Le boîtier TO-252 offre une dissipation thermique efficace, une facilité de montage en surface et une taille compacte, le rendant idéal pour la commutation de puissance à courant élevé dans des espaces restreints.
Le Vishay SUD45P03-09-GE3 convient-il pour des applications automobiles ou industrielles ?
Oui, grâce à sa capacité élevée en courant, sa large plage de températures de fonctionnement et sa conformité RoHS, ce MOSFET est adapté aux applications de gestion de puissance dans l'automobile et l'industrie.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SUD45P03-09-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD45P03-09-GE3 PCB symbols & footprints
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