SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix
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SUD45P03-09-GE3

Aperçu du produit

12786292

DiGi Electronics Numéro de pièce

SUD45P03-09-GE3-DG

Fabricant

Vishay Siliconix
SUD45P03-09-GE3

Description

MOSFET P-CH 30V 45A TO252

Inventaire

10365 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 45A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
SUD45P03-09-GE3 Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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SUD45P03-09-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage -

Série TrenchFET®

État du produit Obsolete

FET Type P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 45A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 8.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur TO-252AA

Emballage / Caisse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro de produit de base SUD45

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger SUD45P03-09-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

SUD45P03-09-GE3-DG
Fiches techniques

SUD45P03-09

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
SUD45P0309GE3
SUD45P03-09-GE3DKR
SUD45P03-09-GE3CT
SUD45P03-09-GE3TR
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
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Companines Registry
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ASA Certificate
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UKAS
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ESD Certificate
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