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SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ112E-T1_GE3
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12965597
DiGi Electronics Numéro de pièce
SQJQ112E-T1_GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3
Description
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)Inventaire
240100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ112E-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
296A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15945 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 8 x 8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SQJQ112E-T1_GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Fiches techniques
SQJQ112E
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
Dec 02, 2025
Ich wurde nicht enttäuscht von der Geschwindigkeit, mit der meine Bestellung versandt wurde – sehr schnell und zuverlässig.
Dec 02, 2025
Ich war angenehm überrascht, wie zügig meine Bestellung bei DiGi Electronics ankam. Das hat meinen Tag definitiv verbessert.
Dec 02, 2025
Impressed with their responsiveness and clear communication.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-channel pour l'automobile de Vishay (SQJQ112E-T1_GE3) ?
Ce MOSFET offre une tension nominale de 100 V, un courant de drain continu élevé de 296 A et une dissipation maximale de puissance de 600 W. Il présente une faible résistance Rds On (2,53 mΩ à 20 A, 10 V) et est conçu pour des applications automobiles, garantissant une performance fiable dans des environnements de haute puissance.
Ce MOSFET Vishay SQJQ112E-T1_GE3 est-il adapté aux systèmes électroniques automobiles ?
Oui, ce MOSFET est spécialement qualifié pour une utilisation dans l'automobile selon la norme AEC-Q101, ce qui le rend idéal pour la gestion de puissance automobile, les entraînements de moteurs et l'électronique industrielle nécessitant une grande durabilité et fiabilité.
Quelle est la plage de température de fonctionnement de ce MOSFET de puissance ?
Le Vishay SQJQ112E-T1_GE3 peut fonctionner dans une plage de température de -55°C à 175°C (TJ), adaptée aux environnements automobiles et industriels exigeants.
Ce MOSFET prend-il en charge la technologie de montage en surface pour une installation facile sur PCB ?
Oui, il est équipé d’un boîtier PowerPAK® 8 x 8 avec montage en surface, facilitant l’assemblage et offrant une bonne performance thermique.
Que faut-il connaître sur les caractéristiques électriques et la fiabilité de ce MOSFET ?
Ce MOSFET possède une tension de seuil de grille d’environ 3,5 V, une faible charge de grille de 272 nC, et d'excellentes capacités de courant, garantissant de faibles pertes par conduction et une haute stabilité dans des applications exigeantes.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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