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SQJB02ELP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
9342 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SQJB02ELP-T1_GE3
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12954066
DiGi Electronics Numéro de pièce
SQJB02ELP-T1_GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SQJB02ELP-T1_GE3
Description
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8Inventaire
9342 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SQJB02ELP-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
40V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1700pF @ 20V
Puissance - Max
27W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de produit de base
SQJB02
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SQJB02ELP-T1_GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SQJB02ELP-T1_GE3-DG
Fiches techniques
Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJB02ELP-T1_GE3CT
742-SQJB02ELP-T1_GE3TR
SQJB02ELP-T1 GE3
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SQJB02ELP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
