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SQJ858AEP-T1_BE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
3798 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ858AEP-T1_BE3
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12954625
DiGi Electronics Numéro de pièce
SQJ858AEP-T1_BE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SQJ858AEP-T1_BE3
Description
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8Inventaire
3798 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ858AEP-T1_BE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2450 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SQJ858
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SQJ858AEP-T1_BE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SQJ858AEP-T1_BE3-DG
Fiches techniques
SQJ858AEP
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJ858AEP-T1_BE3DKR
742-SQJ858AEP-T1_BE3TR
742-SQJ858AEP-T1_BE3CT
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SQJ858AEP-T1_BE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ858AEP-T1_BE3 PCB symbols & footprints
productDetail
