SQ4431EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
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SQ4431EY-T1_BE3

Aperçu du produit

12970017

DiGi Electronics Numéro de pièce

SQ4431EY-T1_BE3-DG
SQ4431EY-T1_BE3

Description

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

Inventaire

2700 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 10.8A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 2500 0.3800 951.9900
  • 5000 0.3500 1774.3200
  • 12500 0.3500 4370.5300
  • 25000 0.3400 8445.9400
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SQ4431EY-T1_BE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

État du produit Active

FET Type P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 10.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1265 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 6W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Grade Automotive

Qualification AEC-Q101

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur 8-SOIC

Emballage / Caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numéro de produit de base SQ4431

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SQ4431EY-T1_BE3-DG

Fiches techniques

SQ4431EY-T1_BE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
742-SQ4431EY-T1_BE3TR
742-SQ4431EY-T1_BE3DKR
742-SQ4431EY-T1_BE3CT
Certification DIGI
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