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SQ3427AEEV-T1_BE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
9914 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 60 V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SQ3427AEEV-T1_BE3
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12939479
DiGi Electronics Numéro de pièce
SQ3427AEEV-T1_BE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SQ3427AEEV-T1_BE3
Description
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOPInventaire
9914 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 60 V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SQ3427AEEV-T1_BE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SQ3427
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SQ3427AEEV-T1_BE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SQ3427AEEV-T1_BE3-DG
Fiches techniques
SQ3427AEEV
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQ3427AEEV-T1_BE3DKR
742-SQ3427AEEV-T1_BE3TR
742-SQ3427AEEV-T1_BE3CT
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SQ3427AEEV-T1_BE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ3427AEEV-T1_BE3 PCB symbols & footprints
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