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SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ270DT-T1-GE3
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12939803
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIZ270DT-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIRInventaire
695990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ270DT-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
100V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Puissance - Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Numéro de produit de base
SIZ270
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIZ270DT-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIZ270DT-T1-GE3-DG
Fiches techniques
Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
Dec 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
Dec 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
Dec 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques de l'ensemble de MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3 ?
L'ensemble de MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3 est un double tableau de MOSFET à canal N avec une tension de drain-source de 100 V et une capacité de gestion de courant élevée, adapté aux applications en montage en surface avec son boîtier 8-PowerPair®. Il offre une faible résistance Rds(On), une dissipation d'énergie efficace et des performances fiables dans la plage de températures de fonctionnement.
Comment puis-je utiliser l'ensemble de MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3 dans des circuits électroniques ?
Cet ensemble de MOSFET est idéal pour des applications de commutation à haute efficacité, la gestion de l'énergie, et les circuits de contrôle de moteurs. Sa configuration à double canal N permet des conceptions compactes avec une alimentation de grille simplifiée, ce qui le rend adapté à divers systèmes électroniques de puissance.
L'ensemble de MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3 est-il compatible avec mon design de circuit existant ?
Oui, cet ensemble de MOSFET est compatible avec les conceptions PCB standards en montage en surface et nécessite une tension de grille de 10 V pour des performances optimales. Ses spécifications correspondent aux exigences courantes en matière de commutation à haute intensité et d'applications de conversion de puissance.
Quels sont les avantages du choix des MOSFET TrenchFET® Gen IV de la série Vishay ?
Les MOSFET TrenchFET® Gen IV offrent une résistance Rds(On) plus faible, une efficacité améliorée et une réduction des pertes de conduction, ce qui optimise la performance globale du système. Ils sont conçus pour une operation fiable à haute température et disposent de capacités robustes de gestion de puissance.
Que dois-je savoir concernant l'achat et la garantie de l'ensemble de MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3 ?
L'ensemble de MOSFET est disponible en stock en tant que composant neuf, d'origine, conforme à la norme RoHS3 et doté d'un niveau de sensibilité à l'humidité illimité. Pour le support après-vente ou les détails de garantie, veuillez consulter le distributeur ou les canaux de service client officiels de Vishay.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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