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SIZ254DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
1752 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 70V 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ254DT-T1-GE3
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12949163
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIZ254DT-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIZ254DT-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIRInventaire
1752 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 70V 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ254DT-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
70V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
16.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Puissance - Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Numéro de produit de base
SIZ254
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIZ254DT-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIZ254DT-T1-GE3-DG
Fiches techniques
SIZ254DT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIZ254DT-T1-GE3DKR
742-SIZ254DT-T1-GE3CT
742-SIZ254DT-T1-GE3TR
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Assurance qualité (QC)
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SIZ254DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ254DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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