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SISS76LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
360300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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SISS76LDN-T1-GE3
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12945157
DiGi Electronics Numéro de pièce
SISS76LDN-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SISS76LDN-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAKInventaire
360300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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SISS76LDN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
70 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2780 pF @ 35 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SH
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8SH
Numéro de produit de base
SISS76
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SISS76LDN-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Fiches techniques
N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
비용 대비 성능이 뛰어나서 구매한 후 후회 없어요.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-channel Vishay SISS76LDN-T1-GE3?
Ce MOSFET offre une tension drain-source de 70V, un courant de drain continu pouvant atteindre 67,4A à la température de l'appareil, et présente une résistance Rds On faible de 6,25 milliohms, ce qui le rend adapté aux applications d'alimentation à haute efficacité. Il est construit avec la technologie TrenchFET® Gen IV et est livré dans un boîtier Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH.
Ce MOSFET Vishay SISS76LDN-T1-GE3 est-il compatible avec des pilotes logiques à basse tension ?
Oui, ce MOSFET peut être piloté avec des tensions logiques aussi basses que 3,3V, grâce à sa tension de commande maximale et à ses faibles caractéristiques Rds On, ce qui le rend compatible avec les circuits de contrôle à basse tension modernes.
Quelles sont les applications typiques de ce MOSFET PowerPAK ?
Ce MOSFET N-channel est idéal pour la commutation d'alimentation dans les alimentations à haute efficacité, les variateurs de moteur, l'éclairage LED et d'autres applications nécessitant une haute capacité de courant et de faibles pertes de conduction.
Ce MOSFET Vishay SISS76LDN-T1-GE3 est-il adapté aux environnements à haute température ?
Oui, il fonctionne dans une plage de températures comprises entre -55°C et 150°C, lui permettant deperformer de manière fiable dans des conditions thermiques exigeantes, typiques de l'électronique de puissance.
Quelles options de garantie et de support sont disponibles lors de l'achat de ce MOSFET ?
En tant que pièce neuve et originale en stock, ce MOSFET bénéficie des politiques standard de support et de garantie de Vishay. Pour un support après-vente spécifique, veuillez contacter le distributeur ou directement Vishay.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SISS76LDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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