SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISS65DN-T1-GE3

Aperçu du produit

12786336

DiGi Electronics Numéro de pièce

SISS65DN-T1-GE3-DG
SISS65DN-T1-GE3

Description

MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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En Stock (Tous les prix sont en USD)
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SISS65DN-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET® Gen III

État du produit Active

FET Type P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 25.9A (Ta), 94A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 4930 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S

Emballage / Caisse PowerPAK® 1212-8S

Numéro de produit de base SISS65

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SISS65DN-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SISS65DN

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH info available upon request
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SISS65DN-T1-GE3DKR
SISS65DN-T1-GE3CT
SISS65DN-T1-GE3TR
Certification DIGI
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