SISS65DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK

6100 Pièces Nouvelles Originales En Stock

P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

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SISS65DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SISS65DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS65DNT1GE3
Price: 0.3072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (280 reviews)

Aperçu du produit

12786336

DiGi Electronics Numéro de pièce

SISS65DN-T1-GE3-DG

Fabricant

Vishay Siliconix

Numéro de produit du fabricant SISS65DN-T1-GE3

Description

MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK

Inventaire

6100 Pièces Nouvelles Originales En Stock

Description détaillée P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

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En Stock (Tous les prix sont en USD)

QTÉ Prix Cible Prix total
3000 0.3072 921.5649
6000 0.2941 1764.8688
9000 0.2695 2425.1238
30000 0.2697 8090.0160

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SISS65DN-T1-GE3 Spécifications techniques

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

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Fiche de Données HTML

SISS65DN-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SISS65DN

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)

Statut REACH REACH info available upon request

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard

3,000

Autres noms

SISS65DN-T1-GE3DKR

SISS65DN-T1-GE3CT

SISS65DN-T1-GE3TR

Reviews

4.9/5.0-(Show up to 5 Ratings)

바***인연

Dec 02, 2025

4.8

제품이 포장된 상태가 훌륭했고, 서비스도 매우 만족스러웠습니다.

Spa***pire

Dec 02, 2025

4.9

The responsiveness of their after-sales team is truly impressive.

Drea***tcher

Dec 02, 2025

4.9

The quality of their materials is evident from the moment you handle their products.

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Dec 02, 2025

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Dec 02, 2025

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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET P-Channel Vishay SISS65DN-T1-GE3 ?

Ce MOSFET PowerPAK® 1212-8S fonctionne à 30 V et 25,9 A (Ta), avec une résistance Rds On faible de 4,6 mΩ, offrant une commutation efficace de l'alimentation dans des applications en montage de surface. Il est adapté aux commutations à haute intensité, à grande vitesse, avec d'excellentes performances thermiques.

Le MOSFET Vishay SISS65DN-T1-GE3 P-Channel est-il compatible avec différents appareils électroniques ?

Oui, ce MOSFET P-Channel est largement utilisé dans la gestion de l'alimentation, la commutation de charge et le contrôle de moteurs dans divers appareils électroniques grâce à ses caractéristiques de tension et de courant polyvalentes. Sa conception en montage de surface facilite son intégration dans différents circuits.

Quels sont les avantages d'utiliser le boîtier PowerPAK® 1212-8S pour ce MOSFET ?

Le boîtier PowerPAK® 1212-8S offre une conception compacte, thermique efficace, qui permet de dissiper la chaleur rapidement, favorisant une meilleure dissipation de puissance (jusqu'à 65,8 W à Tc) et une performance fiable dans les environnements exigeants.

Puis-je acheter en grande quantité le MOSFET Vishay SISS65DN-T1-GE3 ?

Oui, ce produit est disponible en stocks avec 3996 unités en inventaire, ce qui le rend adapté aux commandes en gros ou aux besoins de production à grande échelle. Il s'agit d'un composant neuf, d'origine et conforme à la directive RoHS.

Quelle est la plage de température de fonctionnement recommandée pour ce MOSFET ?

Ce MOSFET peut fonctionner de manière fiable dans une gamme de températures allant de -55°C à 150°C (TJ), assurant sa compatibilité avec une large gamme d'applications industrielles et électroniques.

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