Prévention de la contrefaçon et des défauts
Contrôle visuel et emballage
Vérification de la performance électrique
Email de service
[email protected]
>
SISS52DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
23912 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 47.1A (Ta), 162A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Demander un devis
(Expédie demain)
*Quantité
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (200 Évaluations)
SISS52DN-T1-GE3
Aperçu du produit
12945164
DiGi Electronics Numéro de pièce
SISS52DN-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SISS52DN-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAKInventaire
23912 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 47.1A (Ta), 162A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
Achat et demande
Garantie & Retours
Comment passer la commande
Expédition et livraison
Assurance qualité
Garantie de Qualité 365 Jours - Chaque pièce entièrement garanties.
Remboursement ou échange de 90 jours - Pièces défectueuses ? Pas de problème.
Stock limité, Commandez maintenant - Obtenez des pièces fiables sans souci.
Expédition mondiale & Emballage sécurisé
Livraison mondiale en 3-5 jours ouvrés
Emballage antistatique ESD à 100%
Suivi en Temps Réel pour Chaque Commande
Paiement Sécurisé & Flexible
Carte de Crédit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Virement Bancaire (T/T) et plus
Tous les paiements sont cryptés pour la sécurité
SISS52DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen V
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47.1A (Ta), 162A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2950 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SH
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8SH
Numéro de produit de base
SISS52
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SISS52DN-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SISS52DN-T1-GE3-DG
Fiches techniques
SISS52DN
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SISS52DN-T1-GE3TR
742-SISS52DN-T1-GE3DKR
742-SISS52DN-T1-GE3CT
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SISS52DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
