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SISF06DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 28A PPAK 1212-8
6477 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 30V 28A (Ta), 101A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
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SISF06DN-T1-GE3
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12939909
DiGi Electronics Numéro de pièce
SISF06DN-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SISF06DN-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 28A PPAK 1212-8Inventaire
6477 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 30V 28A (Ta), 101A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
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SISF06DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Ta), 101A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2050pF @ 15V
Puissance - Max
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8SCD
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SCD
Numéro de produit de base
SISF06
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SISF06DN-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SISF06DN-T1-GE3-DG
Fiches techniques
Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SISF06DN-T1-GE3CT
742-SISF06DN-T1-GE3TR
742-SISF06DN-T1-GE3DKR
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SISF06DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISF06DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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