SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIS612EDNT-T1-GE3

Aperçu du produit

12786535

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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Minimum 1

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SIS612EDNT-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage -

Série TrenchFET®

État du produit Obsolete

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 20 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

rds activé (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±12V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 2060 pF @ 10 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S

Emballage / Caisse PowerPAK® 1212-8S

Numéro de produit de base SIS612

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIS612EDNT-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SiS612EDNT Series

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
5682
SISA26DN-T1-GE3-DG
0.25
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