Prévention de la contrefaçon et des défauts
Contrôle visuel et emballage
Vérification de la performance électrique
Email de service
[email protected]
>
SIS612EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
1646 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Demander un devis
(Expédie demain)
*Quantité
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (199 Évaluations)
SIS612EDNT-T1-GE3
Aperçu du produit
12786535
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIS612EDNT-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIS612EDNT-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8SInventaire
1646 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
Achat et demande
Garantie & Retours
Comment passer la commande
Expédition et livraison
Assurance qualité
Garantie de Qualité 365 Jours - Chaque pièce entièrement garanties.
Remboursement ou échange de 90 jours - Pièces défectueuses ? Pas de problème.
Stock limité, Commandez maintenant - Obtenez des pièces fiables sans souci.
Expédition mondiale & Emballage sécurisé
Livraison mondiale en 3-5 jours ouvrés
Emballage antistatique ESD à 100%
Suivi en Temps Réel pour Chaque Commande
Paiement Sécurisé & Flexible
Carte de Crédit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Virement Bancaire (T/T) et plus
Tous les paiements sont cryptés pour la sécurité
SIS612EDNT-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2060 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8S
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base
SIS612
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIS612EDNT-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
Fiches techniques
SiS612EDNT Series
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
迅速な対応と丁寧なサポートにより、ビジネスの効率が上がっています。
Dec 02, 2025
Even on a slower internet connection, the website loads quickly and functions well.
Dec 02, 2025
Their commitment to speedy delivery and reducing environmental impact is commendable.
Dec 02, 2025
I value the transparency in their pricing, which makes comparing and deciding easy.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la fonction principale du MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 ?
Le MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 est un composant N-channel conçu pour les applications de commutation et de gestion de puissance, capable de supporter jusqu’à 50A et 20V, ce qui le rend adapté pour des circuits d’alimentation à haute efficacité.
Le MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 est-il compatible avec les conceptions de circuits imprimés en montage en surface ?
Oui, ce MOSFET dispose d’un boîtier PowerPAK® 1212-8S en montage en surface, optimisé pour des emplacements à haute densité sur circuit imprimé et une installation facilitée en montage en surface.
Quels sont les principaux avantages de la série de MOSFET TrenchFET® de Vishay ?
La série TrenchFET® offre une faible résistance Rds On, une capacité de courant élevée et d’excellentes performances thermiques, permettant une commutation efficace de la puissance avec une réduction de la production de chaleur et des pertes d’énergie.
Le MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 peut-il fonctionner dans des environnements à haute température ?
Oui, il supporte une température de fonctionnement maximale allant jusqu’à 150 °C, ce qui le rend adapté aux applications exigeantes nécessitant une performance fiable à des températures élevées.
Le MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 est-il conforme à la norme RoHS et adapté aux normes environnementales ?
Oui, ce produit est conforme à la norme RoHS3, garantissant qu’il répond aux standards environnementaux pour les substances dangereuses restreintes, ce qui le rend plus sûr pour une fabrication électronique écologique et conforme.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SIS612EDNT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
