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SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
10986 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA20BDP-T1-GE3
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12948261
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIRA20BDP-T1-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIRA20BDP-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAKInventaire
10986 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA20BDP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
82A (Ta), 335A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9950 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIRA20
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIRA20BDP-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIRA20BDP-T1-GE3-DG
Fiches techniques
SiRA20BDP
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIRA20BDP-T1-GE3TR
742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR
742-SIRA20BDP-T1-GE3CT
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SIRA20BDP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIRA20BDP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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