SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (435 Évaluations)

SIR872ADP-T1-GE3

Aperçu du produit

12786866

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIR872ADP-T1-GE3-DG
SIR872ADP-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Inventaire

18300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantité
Minimum 1

Achat et demande

DEMANDE DE COTATION (Demande de Prix)

Vous pouvez soumettre votre demande de devis directement sur la page de détails du produit ou sur la page de demande de devis. Notre équipe commerciale répondra à votre demande dans les 24 heures.

Méthode de paiement

Nous proposons plusieurs méthodes de paiement pratiques, y compris PayPal (recommandé pour les nouveaux clients), cartes de crédit et virements (T/T) en USD, EUR, HKD et autres.

AVIS IMPORTANT

Après avoir envoyé votre demande de devis, vous recevrez un e-mail dans votre boîte de réception confirmant la réception de votre demande. Si vous ne le recevez pas, il se peut que notre adresse e-mail soit considérée comme un spam. Veuillez vérifier votre dossier de spam et ajouter notre adresse e-mail [email protected] à votre liste blanche pour vous assurer que vous recevrez notre devis. En raison de la possibilité de fluctuations de stock et de prix, notre équipe de ventes doit reconfirmer votre demande ou votre commande et vous envoyer toute mise à jour par e-mail en temps utile. Si vous avez d'autres questions ou avez besoin d'aide supplémentaire, n'hésitez pas à nous le faire savoir.

En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 3000 2.5225 7567.5000
  • 6000 2.5225 15135.0000
  • 9000 2.5225 22702.5000
Meilleur prix par demande de devis en ligne
Demander un devis(Expédie demain)
Quantité
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.

SIR872ADP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 150 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 53.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1286 pF @ 75 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8

Emballage / Caisse PowerPAK® SO-8

Numéro de produit de base SIR872

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIR872ADP-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SIR872ADP

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIR872ADP-T1-GE3CT
SIR872ADP-T1-GE3TR
SIR872ADP-T1-GE3DKR

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
FDMS86200
onsemi
56207
FDMS86200-DG
1.8637
MFR Recommended
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1000200
BSC190N15NS3GATMA1-DG
1.2513
MFR Recommended
Certification DIGI
Blogs et Articles