Prévention de la contrefaçon et des défauts
Contrôle visuel et emballage
Vérification de la performance électrique
Email de service
[email protected]
>
SIR580DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
1041 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Demander un devis
(Expédie demain)
*Quantité
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (436 Évaluations)
SIR580DP-T1-RE3
Aperçu du produit
12950694
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIR580DP-T1-RE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIR580DP-T1-RE3
Description
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETInventaire
1041 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
Achat et demande
Garantie & Retours
Comment passer la commande
Expédition et livraison
Assurance qualité
Garantie de Qualité 365 Jours - Chaque pièce entièrement garanties.
Remboursement ou échange de 90 jours - Pièces défectueuses ? Pas de problème.
Stock limité, Commandez maintenant - Obtenez des pièces fiables sans souci.
Expédition mondiale & Emballage sécurisé
Livraison mondiale en 3-5 jours ouvrés
Emballage antistatique ESD à 100%
Suivi en Temps Réel pour Chaque Commande
Paiement Sécurisé & Flexible
Carte de Crédit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Virement Bancaire (T/T) et plus
Tous les paiements sont cryptés pour la sécurité
SIR580DP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen V
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4100 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIR580DP-T1-RE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIR580DP-T1-RE3-DG
Fiches techniques
SIR580DP
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIR580DP-T1-RE3CT
742-SIR580DP-T1-RE3TR
742-SIR580DP-T1-RE3DKR
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SIR580DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR580DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
