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SIR516DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
500100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3
Aperçu du produit
12968163
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIR516DP-T1-RE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIR516DP-T1-RE3
Description
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWInventaire
500100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1920 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIR516DP-T1-RE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIR516DP-T1-RE3-DG
Fiches techniques
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
J’ai été agréablement surpris par la vitesse de livraison et la sécurité de l’emballage.
Dec 02, 2025
Schnelle Lieferung und dauerhafte Qualität – so funktioniert Einkauf bei DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
Prompt shipment and sturdy packaging demonstrated their professionalism.
Dec 02, 2025
My order arrived sooner than expected, and the customer service team was very helpful afterward.
Dec 02, 2025
Their after-sales service is reliable and always ready to assist with any concerns.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3 ?
Le Vishay SIR516DP-T1-RE3 est un MOSFET à canal N monté en surface, avec une tension maximale de 100 V et un courant de drain continu de 16,8 A à 25 °C. Il se distingue par une faible Rds on de 8 mΩ à 10 A, ce qui le rend adapté aux applications d'énergie à haute efficacité. L’appareil est encapsulé dans un boîtier PowerPAK® SO-8, facilitant son montagesur PCB et la dissipation thermique.
Dans quelles applications ce MOSFET de 100 V est-il adapté ?
Ce MOSFET à canal N de 100 V est idéal pour la gestion de l’alimentation, les alimentations à découpage, le contrôle de moteurs et autres circuits électroniques à courant élevé nécessitant un commutateur efficace et une production de chaleur réduite. Sa capacité à supporter un courant élevé le rend adapté aux applications de puissance exigeantes.
Ce MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3 est-il compatible avec les circuits imprimés standard ?
Oui, le dispositif est livré dans un boîtier PowerPAK® SO-8, un format courant en montage en surface compatible avec les schémas de PCB standards. Il est conçu pour une intégration facile aussi bien dans les circuits existants que dans de nouvelles conceptions.
Quels sont les avantages d’utiliser ce MOSFET par rapport aux transistors en silicium traditionnels ?
Ce MOSFET offre une Rds on plus faible, une efficacité accrue et de meilleures performances de commutation comparé aux transistors en silicium classiques. Sa faible charge de grille et sa capacité à supporter un courant élevé contribuent à réduire la perte d’énergie et les besoins en gestion thermique.
Comment acheter et obtenir du support pour le MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3 ?
Le Vishay SIR516DP-T1-RE3 est disponible en stock chez des distributeurs partout dans le monde. Pour un support technique ou une demande de garantie, contactez les revendeurs agréés Vishay ou consultez la fiche technique du produit pour connaître ses spécifications détaillées et ses recommandations d’utilisation.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SIR516DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR516DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
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