SIR516DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR516DP-T1-RE3

Aperçu du produit

12968163

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIR516DP-T1-RE3-DG
SIR516DP-T1-RE3

Description

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Inventaire

500300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 3000 0.7400 2224.7500
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  • 9000 0.6700 6012.4400
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SIR516DP-T1-RE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 8mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1920 pF @ 50 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 71.4W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8

Emballage / Caisse PowerPAK® SO-8

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIR516DP-T1-RE3-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
RS6P100BHTB1
Rohm Semiconductor
2725
RS6P100BHTB1-DG
1.3500
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