SIR494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (202 Évaluations)

SIR494DP-T1-GE3

Aperçu du produit

12786154

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIR494DP-T1-GE3-DG

Fabricant

Vishay Siliconix
SIR494DP-T1-GE3

Description

MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Inventaire

Demande de devis en ligne
N-Channel 12 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
SIR494DP-T1-GE3 Fiche technique
Quantité
Minimum 1

Achat et demande

DEMANDE DE COTATION (Demande de Prix)

Vous pouvez soumettre votre demande de devis directement sur la page de détails du produit ou sur la page de demande de devis. Notre équipe commerciale répondra à votre demande dans les 24 heures.

Méthode de paiement

Nous proposons plusieurs méthodes de paiement pratiques, y compris PayPal (recommandé pour les nouveaux clients), cartes de crédit et virements (T/T) en USD, EUR, HKD et autres.

AVIS IMPORTANT

Après avoir envoyé votre demande de devis, vous recevrez un e-mail dans votre boîte de réception confirmant la réception de votre demande. Si vous ne le recevez pas, il se peut que notre adresse e-mail soit considérée comme un spam. Veuillez vérifier votre dossier de spam et ajouter notre adresse e-mail [email protected] à votre liste blanche pour vous assurer que vous recevrez notre devis. En raison de la possibilité de fluctuations de stock et de prix, notre équipe de ventes doit reconfirmer votre demande ou votre commande et vous envoyer toute mise à jour par e-mail en temps utile. Si vous avez d'autres questions ou avez besoin d'aide supplémentaire, n'hésitez pas à nous le faire savoir.

Demander un devis(Expédie demain)
Quantité
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.

SIR494DP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage -

Série TrenchFET®

État du produit Obsolete

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 12 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 6900 pF @ 6 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8

Emballage / Caisse PowerPAK® SO-8

Numéro de produit de base SIR494

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger SIR494DP-T1-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

SIR494DP-T1-GE3-DG
Fiches techniques

SIR494DP

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIR494DP-T1-GE3TR
SIR494DPT1GE3
SIR494DP-T1-GE3DKR
SIR494DP-T1-GE3CT
SIR494DP-T1-GE3-DG
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produits Connexes
Blogs et Articles
Comprendre le relais ALE7PB05 : fonctionnalités, applications et où l’acheter
Jun 24 2025
Dernières avancées en matière de technologie des circuits intégrés : analyse de cinq technologies de pointe
Jan 18 2025
Progrès de la technologie des inductances : applications innovantes des convertisseurs résonants LTCC et haute fréquence
Jan 18 2025