SIHD180N60E-GE3 Vishay Siliconix
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SIHD180N60E-GE3

Aperçu du produit

12787176

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIHD180N60E-GE3-DG

Fabricant

Vishay Siliconix
SIHD180N60E-GE3

Description

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

Inventaire

2954 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount DPAK
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
SIHD180N60E-GE3 Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 1 2.51 2.51
  • 10 2.18 21.78
  • 100 1.78 178.07
  • 500 1.53 766.41
  • 1000 1.33 1326.73
  • 3000 1.25 3747.78
  • 6000 1.21 7268.55
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SIHD180N60E-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tube

Série E

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 600 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 19A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 195mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±30V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1080 pF @ 100 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur DPAK

Emballage / Caisse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro de produit de base SIHD180

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger SIHD180N60E-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

SIHD180N60E-GE3-DG
Fiches techniques

SIHD180N60E

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
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