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SIHD180N60E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
6128 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount DPAK
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SIHD180N60E-GE3
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12787176
DiGi Electronics Numéro de pièce
SIHD180N60E-GE3-DGFabricant
Vishay Siliconix
SIHD180N60E-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AAInventaire
6128 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount DPAK
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SIHD180N60E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
195mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SIHD180
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger SIHD180N60E-GE3 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
SIHD180N60E-GE3-DG
Fiches techniques
SIHD180N60E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Reviews
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Dec 02, 2025
배송이 빨라서 좋았고, 포장도 꼼꼼했어요.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET Vishay SIHD180N60E-GE3 ?
Le MOSFET Vishay SIHD180N60E-GE3 est un MOSFET à canal N avec une tension de drain-source de 600 V, un courant de drain continu de 19 A et une faible Rds On de 195 mΩ à 10 V Vgs. Il est conçu pour des applications de commutation haute puissance avec une dissipation maximale de 156 W.
Le Vishay SIHD180N60E-GE3 convient-il aux circuits de commutation à haute tension ?
Oui, avec une tension drain-source (Vds) de 600 V, ce MOSFET est idéal pour les applications de commutation à haute tension et de gestion de puissance. Sa robustesse en termes de tension assure une fiabilité dans des environnements exigeants.
Quel type de montage et quel boîtier utilise le SIHD180N60E-GE3 ?
Ce MOSFET utilise un boîtier DPAK (TO-252) en montage en surface, adapté pour un montage efficace sur les circuits imprimés et idéal pour des conceptions électroniques compactes.
Le Vishay SIHD180N60E-GE3 est-il compatible avec les tensions de commande standard des grilles ?
Oui, ce MOSFET peut être piloté avec une tension maximale de grille-source de ±30 V et nécessite environ 10 V pour une performance optimale de Rds On, ce qui le rend compatible avec les circuits de pilotage de grille courants.
Le Vishay SIHD180N60E-GE3 répond-il aux normes environnementales et de sécurité ?
Oui, ce MOSFET est conforme à la norme RoHS3 et indépendant de la réglementation REACH, garantissant qu'il respecte les réglementations environnementales et de sécurité internationales. Il est également disponible en stock avec plus de 6 865 unités pour un approvisionnement rapide.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
SIHD180N60E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHD180N60E-GE3 PCB symbols & footprints
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