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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
9624 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 137A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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Aperçu du produit

12939824

DiGi Electronics Numéro de pièce

SIDR680ADP-T1-RE3-DG
SIDR680ADP-T1-RE3

Description

MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK

Inventaire

9624 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 137A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR680ADP-T1-RE3 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET® Gen IV

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 80 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 30.7A (Ta), 137A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 2.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 4415 pF @ 40 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8DC

Emballage / Caisse PowerPAK® SO-8

Numéro de produit de base SIDR680

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SIDR680ADP-T1-RE3-DG

Fiches techniques

SIDR680ADP-T1-RE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR
742-SIDR680ADP-T1-RE3TR
742-SIDR680ADP-T1-RE3CT

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
RS6N120BHTB1
Rohm Semiconductor
2573
RS6N120BHTB1-DG
0.4224
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