SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SI7997DP-T1-GE3

Aperçu du produit

12786528

DiGi Electronics Numéro de pièce

SI7997DP-T1-GE3-DG
SI7997DP-T1-GE3

Description

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8

Inventaire

12100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 3000 1.0030 3009.0000
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SI7997DP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

État du produit Active

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Configuration 2 P-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET -

Tension de vidange à la source (Vdss) 30V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 60A

rds activé (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 6200pF @ 15V

Puissance - Max 46W

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Emballage / Caisse PowerPAK® SO-8 Dual

Ensemble d’appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual

Numéro de produit de base SI7997

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

SI7997DP-T1-GE3-DG

Fiches techniques

SI7997DP

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Certification DIGI
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