IRLL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix
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IRLL110TRPBF-BE3

Aperçu du produit

12969974

DiGi Electronics Numéro de pièce

IRLL110TRPBF-BE3-DG
IRLL110TRPBF-BE3

Description

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Inventaire

8033 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 2500 0.32 802.62
  • 5000 0.29 1472.20
  • 12500 0.28 3557.64
  • 25000 0.28 6970.57
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IRLL110TRPBF-BE3 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 1.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V

rds activé (max) @ id, vgs 540mOhm @ 900mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V

Vgs (max.) ±10V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 250 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur SOT-223

Emballage / Caisse TO-261-4, TO-261AA

Numéro de produit de base IRLL110

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IRLL110TRPBF-BE3-DG

Fiches techniques

IRLL110

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
742-IRLL110TRPBF-BE3TR
742-IRLL110TRPBF-BE3CT
742-IRLL110TRPBF-BE3DKR
Certification DIGI
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