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US1JHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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Diode 600 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
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US1JHE3_A/I

Aperçu du produit

12914629

DiGi Electronics Numéro de pièce

US1JHE3_A/I-DG
US1JHE3_A/I

Description

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Inventaire

7406 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Diode 600 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Quantité
Minimum 1

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US1JHE3_A/I Spécifications techniques

Catégorie Diodes, Redresseurs, Diodes simples

Emballage Tape & Reel (TR)

Série -

État du produit Active

Technologie Standard

Tension - DC inverse (Vr) (Max) 600 V

Courant - Moyenne rectifiée (Io) 1A

Tension - Marche avant (Vf) (Max) @ Si 1.7 V @ 1 A

Vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) 75 ns

Courant - Fuite inverse @ Vr 10 µA @ 600 V

Capacité @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz

Grade Automotive

Qualification AEC-Q101

Type de montage Surface Mount

Emballage / Caisse DO-214AC, SMA

Ensemble d’appareils du fournisseur DO-214AC (SMA)

Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C

Numéro de produit de base US1J

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

US1JHE3_A/I-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Informations supplémentaires

Forfait standard
7,500
Autres noms
US1JHE3_A/IGICT
US1JHE3_A/IGITR
US1JHE3_A/IGIDKR
US1JHE3_A/I-DG

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
CEFA105-G
Comchip Technology
1069
CEFA105-G-DG
0.0841
MFR Recommended
US1J_R1_00001
Panjit International Inc.
465765
US1J_R1_00001-DG
0.0178
Parametric Equivalent
ES2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
10094
ES2JA R3G-DG
0.0841
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0.0841
Parametric Equivalent

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바***삭임
Dec 02, 2025
5.0
애프터 서비스가 정말 훌륭합니다. 궁금한 점이나 문제가 생기면 신속하게 대응해 주셔서 감사해요.
꿈***빛
Dec 02, 2025
5.0
항상 빠른 배송과 고품질 제품으로 만족스럽습니다. 앞으로도 계속 이용할게요.
별***임
Dec 02, 2025
5.0
핵심 정보를 빠르게 찾을 수 있고, 비용도 적당해서 만족스러워요.
金***景
Dec 02, 2025
5.0
お得感がありながらもサポートが充実している点に感動しました。
Sun***ibes
Dec 02, 2025
5.0
Their commitment to customer satisfaction is evident in their friendly service and pricing.
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques de la diode Vishay US1JHE3_A/I ?

La diode Vishay US1JHE3_A/I est une diode de redressement à montage en surface, unipolaire, avec une tension maximale de 600 V et un courant direct de 1 A. Elle est conçue pour une récupération rapide, avec un temps de récupération inférieur à 500 ns.

La diode Vishay US1JHE3_A/I convient-elle pour des applications automobiles ?

Oui, la diode est conforme aux normes AEC-Q101, garantissant sa fiabilité et ses performances dans les environnements automobiles. Elle supporte une plage de température allant de -55 °C à 150 °C.

Quel est le temps de récupération inverse et la capacité de gestion de tension de cette diode ?

La diode possède un temps de récupération inverse de 75 nanosecondes et peut supporter une tension inverse pouvant atteindre 600 V, ce qui la rend adaptée aux circuits à commutation rapide.

Comment puis-je assurer la compatibilité de la diode Vishay US1JHE3_A/I avec mon schéma électrique ?

Cette diode est de type boîtier DO-214AC (SMA), conçue pour le montage en surface, et supporte des températures d'exploitation de -55 °C à 150 °C. Elle est compatible avec diverses applications de puissance.

Quels sont les avantages de choisir la diode Vishay US1JHE3_A/I par rapport à d’autres diodes de redressement ?

Cette diode combine une haute tension, un temps de récupération rapide et une qualification pour l’industrie automobile, assurant fiabilité et performance dans les applications de redressement et de commutation de puissance.

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