1N65L UMW
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1N65L

Aperçu du produit

12991442

DiGi Electronics Numéro de pièce

1N65L-DG

Fabricant

UMW
1N65L

Description

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

Inventaire

2370 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
1N65L Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 2500 0.20 505.93
  • 5000 0.19 942.08
  • 12500 0.19 2341.86
  • 25000 0.18 4408.90
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1N65L Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant UMW

Emballage Tape & Reel (TR)

Série UMW

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 650 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 1A (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 11Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±30V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 150 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) -

Température de fonctionnement 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur TO-252 (DPAK)

Emballage / Caisse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger 1N65L Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

1N65L-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
4518-1N65LDKR
4518-1N65LCT
4518-1N65LTR
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
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