Prévention de la contrefaçon et des défauts
Contrôle visuel et emballage
Vérification de la performance électrique
Email de service
[email protected]
>
UF3C120040K4S
Qorvo
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
68556 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Demander un devis
(Expédie demain)
*Quantité
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (385 Évaluations)
UF3C120040K4S
Aperçu du produit
12930662
DiGi Electronics Numéro de pièce
UF3C120040K4S-DGFabricant
Qorvo
UF3C120040K4S
Description
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4Inventaire
68556 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
Achat et demande
Garantie & Retours
Comment passer la commande
Expédition et livraison
Assurance qualité
Garantie de Qualité 365 Jours - Chaque pièce entièrement garanties.
Remboursement ou échange de 90 jours - Pièces défectueuses ? Pas de problème.
Stock limité, Commandez maintenant - Obtenez des pièces fiables sans souci.
Expédition mondiale & Emballage sécurisé
Livraison mondiale en 3-5 jours ouvrés
Emballage antistatique ESD à 100%
Suivi en Temps Réel pour Chaque Commande
Paiement Sécurisé & Flexible
Carte de Crédit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Virement Bancaire (T/T) et plus
Tous les paiements sont cryptés pour la sécurité
UF3C120040K4S Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
429W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
UF3C120040
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger UF3C120040K4S Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
UF3C120040K4S-DG
Fiches techniques
UF3C120040K4S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2312-UF3C120040K4S
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
문제 해결 능력이 뛰어나고 고객 중심적인 접근이 인상적입니다.
Dec 02, 2025
Je suis satisfait du système de tracking, c'est très pratique et fiable.
Dec 02, 2025
Efficace, écologique et rapide: c’est la combinaison parfaite chez DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
Ich bin immer wieder zufrieden mit der prompten Lieferung und der Verlässlichkeit der hochwertigen Produkte bei DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
The professionalism and speed of their service left a great impression on me.
Dec 02, 2025
Great prices and even better service—DiGi Electronics truly cares about their customers.
Dec 02, 2025
I am impressed with their ongoing support after a purchase, which is rare to find.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la tension et le courant nominal du SICFET MOSFET N-Channel (UF3C120040K4S) ?
Le SICFET MOSFET N-Channel supporte une tension de drain à source de 1200V et un courant de drain continu de 65A à 25 °C, ce qui le rend adapté aux applications haute tension et haute puissance.
Le MOSFET UF3C120040K4S est-il compatible avec un montage en through-hole pour une installation facile ?
Oui, ce MOSFET utilise un montage par trous traversants avec le boîtier TO-247-4, ce qui facilite l'installation et convient aux applications de commutation de puissance.
Quels sont les principaux avantages d'utiliser un JFET en carbure de silicium (Cascode SiCJFET) comme le UF3C120040K4S dans les circuits électroniques ?
Les JFET en carbure de silicium offrent une résistance Rds(on) plus faible, une efficacité accrue et de meilleures performances thermiques comparés aux MOSFET en silicium traditionnels, ce qui les rend idéaux pour des environnements de haute puissance et de haute température.
Quelle est la plage de température de fonctionnement et quelles sont les limites de dissipation de puissance de ce MOSFET ?
Le MOSFET fonctionne efficacement entre -55 °C et 175 °C et peut dissiper jusqu'à 429 W à la température de jonction du cascode, garantissant une performance fiable en haute puissance.
Le MOSFET UF3C120040K4S est-il conforme aux réglementations RoHS et adapté à une utilisation industrielle ?
Oui, ce MOSFET est conforme RoHS3 et dispose de plusieurs certifications, ce qui le rend adapté pour des applications industrielles, automobiles et autres environnements exigeants en fiabilité.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
UF3C120040K4S CAD Models
Qorvo UF3C120040K4S PCB symbols & footprints
productDetail
