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TK33S10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
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N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TK33S10N1L,LQ

Aperçu du produit

12943189

DiGi Electronics Numéro de pièce

TK33S10N1L,LQ-DG
TK33S10N1L,LQ

Description

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Inventaire

3050 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TK33S10N1L,LQ Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série U-MOSVIII-H

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 33A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 9.7mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 10 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)

Température de fonctionnement 175°C

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur DPAK+

Emballage / Caisse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro de produit de base TK33S10

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

TK33S10N1L,LQ-DG

Fiches techniques

TK33S10N1L

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba Semiconductor and Storage
4677
TK33S10N1L,LXHQ-DG
0.4426
Parametric Equivalent

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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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