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TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
1943 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ
Aperçu du produit
12939605
DiGi Electronics Numéro de pièce
TK200F04N1L,LXGQ-DGFabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
TK200F04N1L,LXGQ
Description
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SMInventaire
1943 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14920 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220SM(W)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
TK200F04
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger TK200F04N1L,LXGQ Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
TK200F04N1L,LXGQ-DG
Fiches techniques
TK200F04N1L
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
TK200F04N1L,LXGQ(O
264-TK200F04N1LLXGQCT
264-TK200F04N1LLXGQDKR
264-TK200F04N1LLXGQTR
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TK200F04N1L,LXGQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L,LXGQ PCB symbols & footprints
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