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TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
440300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TJ60S06M3L,LXHQ
Aperçu du produit
12939584
DiGi Electronics Numéro de pièce
TJ60S06M3L,LXHQ-DGFabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ60S06M3L,LXHQ
Description
MOSFET P-CH 60V 60A DPAKInventaire
440300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TJ60S06M3L,LXHQ Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+10V, -20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7760 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK+
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TJ60S06
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger TJ60S06M3L,LXHQ Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
TJ60S06M3L,LXHQ-DG
Fiches techniques
TJ60S06M3L
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
TJ60S06M3L,LXHQ(O
264-TJ60S06M3LLXHQTR
264-TJ60S06M3LLXHQCT
264-TJ60S06M3LLXHQDKR
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET Toshiba TJ60S06M3L ?
Le MOSFET Toshiba TJ60S06M3L est un composant P-channel à montage en surface avec une tension maximale de 60V, un courant de drain en continu de 60A et une dissipation de puissance allant jusqu'à 100W. Il possède une faible résistance Rds On pour une commutation efficace et convient aux applications à courant élevé.
Ce MOSFET Toshiba TJ60S06M3L est-il compatible avec les circuits standards ?
Oui, ce MOSFET est conçu avec un boîtier DPAK et est compatible avec les montages en surface sur PCB, ce qui le rend idéal pour des circuits compacts et performants.
Pour quelles applications le MOSFET P-channel Toshiba TJ60S06M3L est-il adapté ?
Ce MOSFET convient pour la commutation de puissance, la commande de moteurs et la conduite de charges dans des applications nécessitant un courant élevé, une résistance à haute température et une performance fiable.
Comment la résistance Rds On du MOSFET Toshiba influence-t-elle ses performances ?
La faible Rds On (maximum 11.2mΩ à 30A et 10V) permet une commutation de puissance efficace avec une génération minimale de chaleur, améliorant l'efficacité globale du système et réduisant les besoins en refroidissement.
Quels sont les avantages d'acheter en gros le MOSFET Toshiba TJ60S06M3L dans le stock ?
Acheter en gros garantit la disponibilité d'unités authentiques, neuves et originales avec une livraison rapide, tout en permettant souvent des économies, ce qui est idéal pour la fabrication en grande série ou des projets continus.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
TJ60S06M3L,LXHQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L,LXHQ PCB symbols & footprints
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