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NP50N04YUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
LOW VOLTAGE POWER MOSFET
2600 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 50A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
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NP50N04YUK-E1-AY
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12959021
DiGi Electronics Numéro de pièce
NP50N04YUK-E1-AY-DGFabricant
Renesas Electronics Corporation
NP50N04YUK-E1-AY
Description
LOW VOLTAGE POWER MOSFETInventaire
2600 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 50A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
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NP50N04YUK-E1-AY Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta), 97W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSON (5x5.4)
Emballage / Caisse
8-PowerLDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NP50N04YUK-E1-AY Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NP50N04YUK-E1-AY-DG
Fiches techniques
NP50N04YUK
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
559-NP50N04YUK-E1-AYCT
559-NP50N04YUK-E1-AYTR
559-NP50N04YUK-E1-AYDKR
-1161-NP50N04YUK-E1-AYCT
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET NP50N04YUK-E1-AY ?
Le NP50N04YUK-E1-AY est un MOSFET à canal N haute performance, avec une tension de 40 V et un courant de 50 A, présentant une faible résistance Rds On (4,8 mΩ à 25A et 10 V) et une dissipation maximale de puissance de 1 W, adapté aux applications de commutation à faible consommation d'énergie.
Ce MOSFET NP50N04YUK-E1-AY est-il adapté pour les applications automobiles ?
Oui, ce MOSFET est conçu pour une utilisation automobile et respecte la qualification AEC-Q101, garantissant fiabilité et performance dans les environnements automobiles.
Quelle est la compatibilité du MOSFET NP50N04YUK-E1-AY avec différentes tensions de circuit et méthodes de montage ?
Ce MOSFET en montage de surface fonctionne avec une tension de commande jusqu’à 10 V, supporte une tension Vds jusqu’à 40 V, et est monté en boîtier 8-HSON, idéal pour des circuits compacts et efficaces.
Quels sont les avantages d’utiliser ce MOSFET de puissance à faible tension dans les circuits électroniques ?
Ce MOSFET offre une faible résistance Rds On pour réduire les pertes d’énergie, une capacité de courant élevée, ainsi qu’une excellente stabilité thermique, le rendant idéal pour une commutation et une gestion de puissance à haute efficacité.
Comment puis-je acheter et garantir la qualité du MOSFET NP50N04YUK-E1-AY ?
Ce MOSFET est proposé en bobine pour une automatisation facile, conforme aux normes RoHS3, et il s'agit d'un produit neuf, original, stocké en grande quantité pour un approvisionnement fiable.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
NP50N04YUK-E1-AY CAD Models
Renesas Electronics Corporation NP50N04YUK-E1-AY PCB symbols & footprints
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