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NVTFS052P04M8LTAG
onsemi
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
2063 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NVTFS052P04M8LTAG
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12939908
DiGi Electronics Numéro de pièce
NVTFS052P04M8LTAG-DGFabricant
onsemi
NVTFS052P04M8LTAG
Description
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFNInventaire
2063 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NVTFS052P04M8LTAG Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
69mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 95µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
424 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.9W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-WDFN (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NVTFS052
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NVTFS052P04M8LTAG Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NVTFS052P04M8LTAG-DG
Fiches techniques
NVTFS052P04M8L
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVTFS052P04M8LTAGDKR
488-NVTFS052P04M8LTAGTR
488-NVTFS052P04M8LTAGCT
Pièces alternatives
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NVTFS052P04M8LTAG CAD Models
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