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NVMFS6H864NLWFT1G
onsemi
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
683 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 7A (Ta), 22A (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
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NVMFS6H864NLWFT1G
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12938823
DiGi Electronics Numéro de pièce
NVMFS6H864NLWFT1G-DGFabricant
onsemi
NVMFS6H864NLWFT1G
Description
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFNInventaire
683 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 7A (Ta), 22A (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
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NVMFS6H864NLWFT1G Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta), 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
29mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
431 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.5W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NVMFS6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NVMFS6H864NLWFT1G Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NVMFS6H864NLWFT1G-DG
Fiches techniques
NVMFS6H864NL
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS6H864NLWFT1GDKR
488-NVMFS6H864NLWFT1GTR
488-NVMFS6H864NLWFT1GCT
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NVMFS6H864NLWFT1G CAD Models
onsemi NVMFS6H864NLWFT1G PCB symbols & footprints
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