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MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
688400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G

Aperçu du produit

12938856

DiGi Electronics Numéro de pièce

NVMFS6H824NLT1G-DG

Fabricant

onsemi
NVMFS6H824NLT1G

Description

MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN

Inventaire

688400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant onsemi

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 80 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 20A (Ta), 110A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 140µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 2900 pF @ 40 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 3.8W (Ta), 116W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Grade Automotive

Qualification AEC-Q101

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Emballage / Caisse 8-PowerTDFN, 5 Leads

Numéro de produit de base NVMFS6

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

NVMFS6H824NLT1G-DG

Fiches techniques

NVMFS6H824NL

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS6H824NLT1GTR
488-NVMFS6H824NLT1GCT
488-NVMFS6H824NLT1GDKR

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
RS6N120BHTB1
Rohm Semiconductor
2573
RS6N120BHTB1-DG
0.4224
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G ?

Ce MOSFET à canal N offre une tension Vds de 80V, un courant de drain continu de 20A à 25 °C, et une faible résistance Rds On de 4mΩ à Vgs de 10V, ce qui le rend adapté aux applications de commutation de puissance à haute efficacité.

Le MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G est-il compatible avec des projets automobiles ?

Oui, ce MOSFET est certifié pour une utilisation automobile avec une norme AEC-Q101, garantissant une performance fiable dans des environnements exigeants.

Quelles sont les applications typiques de ce MOSFET à montage en surface à canal N ?

Il est idéal pour la gestion de l'alimentation, le contrôle de moteurs, l'éclairage LED, ainsi que pour d'autres circuits nécessitant une commutation à haute intensité avec une faible résistance à l'état passant.

Comment manipuler et monter correctement le MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G ?

Ce composant est conçu pour une installation en montage en surface dans un boîtier 5-DFN. La manipulation appropriée inclut des précautions contre les décharges électrostatiques et un placement précis sur la carte PCB pour garantir des performances optimales.

Le MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G bénéficie-t-il d'une garantie ou d'un support après-vente ?

Oui, ce MOSFET est vendu en tant que produit neuf, d'origine, disponible en stock, avec un support accessible via les distributeurs agréés et les canaux du service client d'onsemi.

Assurance qualité (QC)

DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.

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