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NVMFS2D3P04M8LT1G
onsemi
MV8 P INITIAL PROGRAM
889091 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G
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12974262
DiGi Electronics Numéro de pièce
NVMFS2D3P04M8LT1G-DGFabricant
onsemi
NVMFS2D3P04M8LT1G
Description
MV8 P INITIAL PROGRAMInventaire
889091 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 2.7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5985 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NVMFS2D3P04M8LT1G Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
Fiches techniques
NVMFS2D3P04M8L
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET P-Channel NVMFS2D3P04M8LT1G ?
Le MOSFET P-Channel NVMFS2D3P04M8LT1G possède une tension de drain à source de 40 V, un courant de drain continu de 31 A, et une résistance Rds On extrêmement faible de 2,2 mΩ à 30 A et 10 V. Il est conçu pour une haute efficacité et une opération fiable dans les applications automobiles et électroniques.
Le MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G est-il adapté pour une utilisation automobile ?
Oui, ce MOSFET est certifié conforme à la norme AEC-Q101, ce qui le rend adapté aux applications automobiles où la fiabilité et la résistance aux températures (-55°C à 175°C) sont essentielles.
Quelles options d'emballage sont proposées pour le MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G ?
Ce MOSFET est disponible en boîtier de montage en surface 8-PowerTDFN (5x6 mm), idéal pour les circuits électroniques et automobiles compacts, et respectueux de la norme RoHS3.
Comment le NVMFS2D3P04M8LT1G gère-t-il la dissipation thermique et les conditions thermiques ?
Il peut dissiper jusqu’à 3,8 W à température ambiante et jusqu’à 205 W lorsqu'il est monté sur un dissipateur thermique ou mat de thermique approprié, avec une température de fonctionnement maximale de -55°C à 175°C.
Où puis-je acheter le MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G et quelle est sa disponibilité ?
Le NVMFS2D3P04M8LT1G est facilement disponible en stock, avec plus de 890 000 pièces offertes par un fournisseur réputé, garantissant une approvisionnement fiable pour vos projets.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
NVMFS2D3P04M8LT1G CAD Models
onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G PCB symbols & footprints
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