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NTTFS008P03P8Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
5418 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
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NTTFS008P03P8Z
Aperçu du produit
12938108
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTTFS008P03P8Z-DGFabricant
onsemi
NTTFS008P03P8Z
Description
MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFNInventaire
5418 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
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NTTFS008P03P8Z Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Ta), 96A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5600 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.36W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NTTFS008
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTTFS008P03P8Z Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTTFS008P03P8Z-DG
Fiches techniques
NTTFS008P03P8Z
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-NTTFS008P03P8Z
488-NTTFS008P03P8ZCT
488-NTTFS008P03P8ZDKR
488-NTTFS008P03P8ZTR
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NTTFS008P03P8Z CAD Models
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