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NTP165N65S3H
onsemi
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
1296 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
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NTP165N65S3H
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12950501
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTP165N65S3H-DGFabricant
onsemi
NTP165N65S3H
Description
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEInventaire
1296 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
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NTP165N65S3H Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1808 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
142W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTP165N65S3H Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTP165N65S3H-DG
Fiches techniques
NTP165N65S3H
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
488-NTP165N65S3H
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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NTP165N65S3H CAD Models
onsemi NTP165N65S3H PCB symbols & footprints
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