NTLJS3D9N03CTAG
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onsemi
MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN
6489 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 10.3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
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NTLJS3D9N03CTAG

Aperçu du produit

12938025

DiGi Electronics Numéro de pièce

NTLJS3D9N03CTAG-DG

Fabricant

onsemi
NTLJS3D9N03CTAG

Description

MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN

Inventaire

6489 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 30 V 10.3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
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NTLJS3D9N03CTAG Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant onsemi

Emballage -

Série -

État du produit Obsolete

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 10.3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

rds activé (max) @ id, vgs 4.9mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.7 nC @ 4.5 V

Vgs (max.) ±12V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1565 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 860mW (Ta)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur 6-PQFN (2x2)

Emballage / Caisse 6-PowerWDFN

Numéro de produit de base NTLJS3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

NTLJS3D9N03CTAG-DG

Fiches techniques

NTLJS3D9N03C

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-NTLJS3D9N03CTAGTR
488-NTLJS3D9N03CTAGTR

Reviews

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心***者
Dec 02, 2025
4.8
DiGi真的很重視客戶,售後服務非常優秀,而且價格很親民,值得信賴!
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Dec 02, 2025
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4.8
DiGi Electronicsはいつも期限を守り、包装も堅牢です。
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-Channel onsemi NTLJS3D9N03CTAG ?
Le MOSFET N-Channel onsemi NTLJS3D9N03CTAG est un composant en montage de surface avec une tension de drain-source de 30 V, un courant de drain continu de 10,3 A, une résistance Rds On faible de 4,9 mΩ à 10 A, et une dissipation maximale de puissance de 860 mW, idéal pour des applications de commutation haute efficacité.
Ce MOSFET onsemi NTLJS3D9N03CTAG est-il compatible avec des circuits de commande basse tension ?
Oui, ce MOSFET peut être piloté avec une tension de grille aussi basse que 1,8 V pour Rds On, ce qui le rend compatible avec des circuits de commande à faible tension et permet de réduire la consommation d’énergie dans vos projets.
Quelles applications conviennent à ce MOSFET en montage de surface ?
Ce MOSFET est idéal pour la gestion de puissance, le contrôle de moteurs, les convertisseurs DC-DC, ainsi que pour d’autres applications nécessitant une commutation efficace dans un boîtier compact en montage de surface.
Ce MOSFET onsemi NTLJS3D9N03CTAG est-il adapté à des environnements à haute température ?
Oui, il dispose d’une plage de température de fonctionnement allant de -55 °C jusqu’à 150 °C, ce qui lui permet de fonctionner de manière fiable dans des environnements industriels et automobiles soumis à de fortes températures.
Que faut-il savoir concernant l’achat et la garantie de ce MOSFET ?
Le onsemi NTLJS3D9N03CTAG est en stock avec 4 210 unités, conforme à la norme ROHS3, et bénéficie des garanties standard du fabricant. Pour un support spécifique ou les politiques de retour, veuillez consulter votre fournisseur ou distributeur agréé.
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