NTLJS3D9N03CTAG onsemi
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NTLJS3D9N03CTAG

Aperçu du produit

12938025

DiGi Electronics Numéro de pièce

NTLJS3D9N03CTAG-DG

Fabricant

onsemi
NTLJS3D9N03CTAG

Description

MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN

Inventaire

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N-Channel 30 V 10.3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
NTLJS3D9N03CTAG Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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NTLJS3D9N03CTAG Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant onsemi

Emballage -

Série -

État du produit Obsolete

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 10.3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

rds activé (max) @ id, vgs 4.9mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.7 nC @ 4.5 V

Vgs (max.) ±12V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 1565 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 860mW (Ta)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur 6-PQFN (2x2)

Emballage / Caisse 6-PowerWDFN

Numéro de produit de base NTLJS3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger NTLJS3D9N03CTAG Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

NTLJS3D9N03CTAG-DG
Fiches techniques

NTLJS3D9N03C

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-NTLJS3D9N03CTAGTR
488-NTLJS3D9N03CTAGTR
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
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ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
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