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NTH4L080N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
1330 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L080N120SC1
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12938839
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTH4L080N120SC1-DGFabricant
onsemi
NTH4L080N120SC1
Description
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4Inventaire
1330 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L080N120SC1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1670 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
NTH4L080
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTH4L080N120SC1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTH4L080N120SC1-DG
Fiches techniques
NTH4L080N120SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTH4L080N120SC1
2156-NTH4L080N120SC1
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
I trust DiGi Electronics for their excellent support services following my purchases.
Dec 02, 2025
Their strong stock levels and prompt customer service streamline our procurement process significantly.
Dec 02, 2025
Excellent customer service and reliable after-sales assistance make DiGi Electronics our preferred partner.
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET onsemi SICFET N-Channel (NTH4L080N120SC1) ?
Ce MOSFET possède une tension maximale de 1200 V, un courant de drain continu de 29 A, et est conçu avec la technologie en carbure de silicone (SiC), offrant une haute efficacité et une durabilité optimale pour les applications de commande de puissance.
Le MOSFET N-Channel SICFET est-il compatible avec mes projets d'électronique de puissance ?
Oui, ses spécifications, notamment ses fortes capacités en tension et en courant, le rendent adapté à diverses applications de l'électronique de puissance telles que les inverters, convertisseurs ou pilotes de moteurs, surtout lorsqu'une haute tension est requise.
Quels sont les avantages d’utiliser des MOSFETs en carbure de silicium (SiC) comme le NTH4L080N120SC1 ?
Les MOSFETs en SiC offrent des pertes de commutation réduites, une meilleure stabilité thermique, et une efficacité accrue à haute tension, ce qui les rend idéaux pour des systèmes avancés de gestion de puissance.
Comment monter et manipuler correctement le boîtier TO-247-4 de ce MOSFET ?
Le boîtier TO-247-4 est conçu pour une fixation par trou traversant, garantissant un bon contact thermique ; manipulez-le avec précaution pour éviter les décharges électrostatiques et assurez une dissipation thermique adéquate lors de l’installation.
Quelle est la garantie et le support après-vente pour ce produit MOSFET onsemi ?
Ce produit est vendu neuf et d'origine, avec un stock disponible ; vous pouvez compter sur le service client et le support d’onsemi, et le produit est conforme aux normes RoHS pour la sécurité et la responsabilité environnementale.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
NTH4L080N120SC1 CAD Models
onsemi NTH4L080N120SC1 PCB symbols & footprints
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