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NTH4L045N065SC1
onsemi
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
1367 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L045N065SC1
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12964310
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTH4L045N065SC1-DGFabricant
onsemi
NTH4L045N065SC1
Description
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELInventaire
1367 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L045N065SC1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1870 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
187W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTH4L045N065SC1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTH4L045N065SC1-DG
Fiches techniques
NTH4L045N065SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
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NTH4L045N065SC1 CAD Models
onsemi NTH4L045N065SC1 PCB symbols & footprints
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