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NTH4L040N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
9738 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1
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12938497
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTH4L040N120SC1-DGFabricant
onsemi
NTH4L040N120SC1
Description
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4Inventaire
9738 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1762 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
319W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
NTH4L040
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTH4L040N120SC1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTH4L040N120SC1-DG
Fiches techniques
NTH4L040N120SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
Reviews
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Dec 02, 2025
商品の発送が早く、すぐに受け取ることができました。品質も素晴らしいです。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques et avantages du MOSFET NTH4L040N120SC1 SiCFET ?
Le NTH4L040N120SC1 possède une tension de voltage élevée de 1200V et un courant de drain continu de 58A, ce qui le rend adapté aux applications à haute puissance. Sa technologie SiCFET assure une commutation efficace et une faible résistance Rds On, réduisant ainsi la perte d'énergie et la génération de chaleur.
Le MOSFET NTH4L040N120SC1 est-il compatible avec les circuits électroniques courants ?
Oui, ce MOSFET à canal N est conçu avec une tension Vgs(max) de +25V et -15V, ce qui le rend compatible avec les tensions de contrôle standard des circuits. Son boîtier à insertion par le fond TO-247-4L facilite son intégration dans diverses configurations de montage.
Quelles sont les applications typiques du MOSFET NTH4L040N120SC1 ?
Ce MOSFET en carbure de silicium à haute tension est idéal pour les alimentations électriques, les commandes de moteurs, et les commutations à haute tension où performance et fiabilité optimales sont requises.
Comment la performance thermique du NTH4L040N120SC1 bénéficie-t-elle à la conception des dispositifs ?
Avec une dissipation maximale de puissance de 319W à 25°C et une plage de température de fonctionnement allant de -55°C à 175°C, ce MOSFET offre une excellente performance thermique, permettant une operation robuste dans des environnements exigeants.
Le NTH4L040N120SC1 bénéficie-t-il d'une garantie ou d'options de support après-vente ?
En tant que produit d'origine en stock, il est fourni par un fabricant fiable, onsemi. Pour des détails spécifiques sur la garantie ou le support après-vente, veuillez contacter directement le fournisseur ou les distributeurs agréés.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
NTH4L040N120SC1 CAD Models
onsemi NTH4L040N120SC1 PCB symbols & footprints
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