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NTH4L028N170M1
onsemi
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
1160 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L028N170M1
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13001833
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTH4L028N170M1-DGFabricant
onsemi
NTH4L028N170M1
Description
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERInventaire
1160 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L028N170M1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
81A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4230 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
535W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
NTH4L02
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTH4L028N170M1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTH4L028N170M1-DG
Fiches techniques
NTH4L028N170M1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
488-NTH4L028N170M1
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NTH4L028N170M1 CAD Models
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