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NTBGS4D1N15MC
onsemi
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
1900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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NTBGS4D1N15MC
Aperçu du produit
12938830
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTBGS4D1N15MC-DGFabricant
onsemi
NTBGS4D1N15MC
Description
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAKInventaire
1900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Quantité
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NTBGS4D1N15MC Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 185A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 574µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7285 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 316W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
NTBGS4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTBGS4D1N15MC Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTBGS4D1N15MC-DG
Fiches techniques
NTBGS4D1N15MC
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NTBGS4D1N15MCDKR
488-NTBGS4D1N15MCTR
488-NTBGS4D1N15MCCT
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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NTBGS4D1N15MC CAD Models
onsemi NTBGS4D1N15MC PCB symbols & footprints
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